报道：三星电子和 SK 海力士据悉推迟应用混合键合封装工艺

三星电子、SK 海力士原计划在 HBM4 采用混合键合技术，现因行业放宽 HBM 厚度标准、客户高堆栈需求延迟，决定继续使用传统热压键合技术，业内预计混合键合最早用于 16 层 HBM4E。