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SK 海力士正在开发针对下一代高带宽内存的封装创新技术，推进一项封装架构改良方案，包括增加 DRAM 芯片厚度、缩小 DRAM 层间距，目前处于验证阶段。该技术旨在突破 HBM4 性能瓶颈，若成功商业化有望达成英伟达对 HBM4 设定的顶级性能指标，巩固 SK 海力士技术领先优势，为下游客户提供更具竞争力的方案。其优势在于低资本投入，但扩展至大规模量产可能面临挑战，技术稳定性与工艺一致性待解，商业化时间表尚未明确。同时提示市场有风险，投资需谨慎。