三星电子首次展示 HBM5，押注下一代 AI 存储竞争

三星电子在 Computex 2026 展会上首次公开第八代高带宽存储器 HBM5 原型，其核心技术亮点是名为 Heat Path Block（HPB）的热管理创新，该技术已在 HBM4E 平台完成验证，计划随 HBM5 正式商用，HBM5 还计划引入第六代 10 纳米级 DRAM 制程及 2 纳米逻辑工艺节点。同时，三星已于 5 月下旬率先向全球主要客户发货 12 层 HBM4E 样品，HBM4E 引脚传输速度稳定在 14Gbps，可扩展至 16Gbps，每堆栈带宽达 3.6TB/s，容量 48GB，后续还将推出 32GB 与 64GB 版本。在存储价格全面走高的背景下，通用 DRAM 价格大幅上涨显著强化了三星和 SK 海力士的 HBM 定价主导权，两家公司盈利预期大幅上调，摩根士丹利预测三星今年全年营业利润同比增幅或达 464%，SK 海力士增幅约 280%。