进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

三星计划在 HBM5 世代应用 2nm 基础裸片，HBM5 运行速率预计较 HBM4E 提升 50% 以上，基础裸片支持更高密度硅通孔，旨在实现性能和能效的重大改进。三星 HBM4 和 HBM4E 均采用 4nm 基础裸片，其中 HBM4E 应用高密度、超高性能器件实现 14 + Gbps 高速运行，还通过更有效排列金属层降低功耗、优化散热路径。