三星公布下一代存储器战略 HBM5 性能目标提升至 HBM4E 两倍

在 SEMICON Taiwan 2026 展前峰会上，三星公布新一代 3D 存储器战略框架 CUBE，同步展示 HBM5、zHBM 及 zNAND-O 技术路线图。CUBE 以容量、利用率、带宽、能效为核心，转向系统级协同优化。HBM5 作为 HBM 路线延续，性能将达 HBM4E 的 2 倍，每瓦性能提升 20%，热阻降低 20%。zHBM 为架构级跃迁，拟将 HBM 直接堆叠在 GPU 上方，性能目标达 HBM4E 的约 8 倍，每瓦性能约为其 3 倍，热阻降低 75%–90%。zNAND-O 比特密度将达 DRAM 的 10 倍，读取带宽和能效为传统 NAND 的 7 倍，计划 2028 年启动样品供应。三星借此争夺 AI 时代存储器市场主导权。