SK 海力士拟 2028 年应用 High NA EUV 技术 半导体行业 DRAM 量产迎新进展

全球半导体先进制程竞争升温，多家巨头布局 High NA EUV 光刻技术。SK 海力士计划 2028 年将该技术引入 DRAM 大规模生产，三星电子也将同期实现该技术对先进 DRAM 的量产覆盖，二者均为明确时间表的韩国存储芯片厂商。ASML 牵头组建技术联盟，联合台积电、三星、英特尔推动 12 英寸光罩生态系统标准化，SK 海力士正评估加入可能性。美光则采取差异化策略，其第 7 代 10nm 级 DRAM 工艺优先导入传统 EUV 设备。High NA EUV 技术可提升光刻分辨率、减少曝光次数，虽初期设备投资增 30%，但单位芯片生产成本可降 15%，或重塑全球存储芯片市场格局。