SK 海力士猛攻 1c DRAM：良率已升至 80% 超半数产能年内转换

SK 海力士正在加快提升 10 纳米第六代（1c）DRAM 竞争力，用于该工艺的 EUV 设备投资比原计划增加约三倍。其集中推进 1c DRAM 技术发展，用于 HBM4E 核心芯片，计划今年交付样品。因英伟达明年下半年将推搭载 HBM4E 的下一代 AI 加速器，SK 海力士需加快研发。目前其通用 DRAM 的 1c DRAM 良率已升至 80%，计划今年将超一半 DRAM 产能转换为 1c 工艺产品，预计年底确保约 19 万片产能。