消息称 SK 海力士计划重启大连二厂扩建工程，将生产 238 层 NAND 闪存芯片

SK 海力士近期将以向中国大连第二工厂引进设备为契机推进全新生产线投资建设，计划今年下半年搬入设备，明年上半年分阶段完成设施建设。大连第一工厂已完成 192 层 NAND 闪存产线升级及老化设备更换。大连第二工厂曾因行业遇冷暂缓 2022 年的投资计划，如今因 AI 数据中心普及带动 NAND 闪存需求增长，重启可能性升高，企业正积极筹备全面投资，去年还向大连 NAND 闪存工厂大幅追加注资。目前部分韩本土供应商正搬迁闲置设备，海外制造商已收到初步采购订单。该工厂今年下半年将新增一条 238 层 NAND 闪存的 V8 生产线，月产能目标 3 万至 5 万片晶圆。