SK 海力士将于 2029 年在清州建成 NAND 闪存工厂
1 小时前
2026-07-02
SK 海力士将于 2029 年在清州建成 NAND 闪存工厂2026-06-24
SK 海力士拟在纳斯达克发行存托凭证,筹资近 300 亿美元2026-06-11
SK 海力士尝试「以钼代钨」或助力 NAND 性能提升2026-06-11
SK 海力士计划到 2034 年将晶圆产能提高两倍2026-06-10
SK 海力士据悉最早将于 8 月在美国上市2026-06-02
SK 海力士:计划五年将内存产能翻倍,短缺将持续到 2030 年2026-04-23
SK 海力士称 HBM 需求超供应能力 或扩大通用 DRAM 应对2026-04-22
SK 海力士据悉将投资 19 万亿韩元建设新的芯片工厂2026-04-09
SK 海力士猛攻 1c DRAM:良率已升至 80% 超半数产能年内转换2026-03-24
SK 海力士计划通过赴美上市筹资约 100 亿美元查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。