Readhub
SK 海力士将于 2029 年在清州建成 NAND 闪存工厂
7 月 2 日
SK 海力士将在忠清南道清州新建投资 80 万亿韩元的 NAND 晶圆厂 M17 及 20 万亿韩元的先进封装厂 P & T7，M17 计划明年动工，2029 年上半年竣工投产。SK 集团计划在忠清地区总投资 170 万亿韩元，涵盖先进封装、人工智能数据中心领域，旨在打造全球 AI 枢纽。SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，AI 服务启动使 NAND 与 HBM 及 DRAM 需求爆发式增长，NAND 供应短缺需扩大生产线，NAND 已成为支持 GPU 和 HBM、提升 AI 运算效率的核心组件。
展开全部报道
话题追踪2026-07-14
SK 海力士加速 Y1 工厂建设，现已开始订购 DRAM 制造设备2026-07-02
SK 海力士将于 2029 年在清州建成 NAND 闪存工厂2026-06-24
SK 海力士拟在纳斯达克发行存托凭证，筹资近 300 亿美元2026-06-11
SK 海力士尝试「以钼代钨」或助力 NAND 性能提升2026-06-11
SK 海力士计划到 2034 年将晶圆产能提高两倍2026-06-10
SK 海力士据悉最早将于 8 月在美国上市2026-06-02
SK 海力士：计划五年将内存产能翻倍，短缺将持续到 2030 年2026-04-23
SK 海力士称 HBM 需求超供应能力 或扩大通用 DRAM 应对2026-04-22
SK 海力士据悉将投资 19 万亿韩元建设新的芯片工厂查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。