SK 海力士尝试「以钼代钨」或助力 NAND 性能提升

SK 海力士已完成 375 层 NAND 闪存生产验证，计划今年年底前量产，量产线将转移至清州 M15 工厂，其技术亮点是使用钼材料替代传统钨材料制作字线，在同等微缩尺寸下电阻更低，能有效加快数据读写速度。