面向 AI 的下一代超高性能 DRAM，SK 海力士已向主要客户供应 12 层 HBM4E 样品

SK 海力士已向主要客户供应 12 层 HBM4E 样品，该产品为面向人工智能的下一代超高性能 DRAM。相比上一代 HBM4，其引脚速率最高可达 16Gbps，能效提高 20% 以上，通过新一代接口和设计优化降低数据传输延迟，采用先进 MR-MUF 工艺实现 12 层堆叠 48GB 容量，热阻降低约 17%，公司将与客户紧密协作确保按时量产，以巩固技术领导地位。