三星与 ASML 合作开发高 NA EUV 光刻技术及 12 英寸掩模版

三星电子将与 ASML 共同开发高数值孔径极紫外光刻技术，参与推动将 6 英寸光掩模版转向 12 英寸版本的行业标准转变，力争率先建立基于高 NA EUV 设备的 DRAM 量产体系，计划 2028 年将该设备应用于 DRAM 生产，后续扩展至 1.4 纳米先进逻辑工艺以推动晶圆代工业务，扩大掩模版尺寸可弥补 EUV 技术局限、提升生产效率并降低芯片制造成本，高 NA EUV 数值孔径比传统 EUV 高 66%，能形成更精细电路图案。