ASML 与台积电倡议推动向 12 英寸 High NA EUV 光掩模转型

ASML 与台积电共同发起产业合作倡议，推动向 12 英寸光掩模转型以最大化 High NA EUV 光刻技术价值，目标 2031 年前建成 12 英寸光掩模试产线，2033 年前完成先进制程节点生产的完整光刻系统准备，该倡议获产业界广泛支持，多家相关企业表达加入意向。