冲击 1000 层：三星披露 NAND 规划，SSD 容量目标 4 倍提升

三星披露下一代 NAND Flash 路线图，计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。根据规划，2029 年实现 420 层解决方案，2030 年推进至 560 层以上，下一个十年初继续把层数翻倍迈向 1000 层以上产品。路线还规划展示 900 至 1000 层方案，通过 CMB 连接方式在一颗芯片内封装 2 组 450 层单元，让 8TB 的 QLC M.2 SSD 提升到最高 32TB。量产难度主要包括晶圆翘曲和层间对准误差，三星计划引入 Upper Chuck Design 方案控制翘曲，并借助 Overlay Correction 技术降低错位风险。