消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产

三星电子位于中国西安的 NAND 晶圆厂近期完成工艺制程升级，实现 236 层堆叠的第八代 V-NAND（V8 NAND）量产。该晶圆厂是三星在韩国本土外重要半导体生产基地，此次制程升级始于 2024 年，旨在提升性能、效率与产能竞争力，满足 AI 时代需求。下一步，三星西安晶圆厂瞄准 286 层堆叠的 V9 NAND，相关生产线位于 X2 工厂，计划 2026 年内完成过渡并量产。