消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产
3 月 30 日
三星西安厂 236 层堆叠 3D NAND 正式量产:最新 286 层年内落地
快科技 / 新浪科技
三星电子开始量产 236 层 NAND 闪存
财联社/36Kr/格隆汇/钛媒体
2026-08-12
三星晶圆代工计划在 1nm 级节点实现 High NA EUV 商用2026-07-21
三星电子扩大与英伟达 NAND 供应合作 加速 V9、V10 闪存布局2026-05-25
消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发2026-05-11
三星电子重启半导体新业务 未来投资计划重新推进2026-03-30
消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产2026-02-02
三星、SK 海力士计划扩大尖端 NAND 产能2025-11-27
三星研发新型 NAND 闪存技术,功耗暴降 96%2025-04-07
三星电子考虑对 DRAM 内存和 NAND 闪存产品提价 3%~5%2025-03-17
美光、三星电子、SK 海力士等 NAND 厂商均将从 4 月起提高报价查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。