SK 海力士正在为其下一代 HBM 方案引入先进封装技术
上周一
SK 海力士正为下一代 HBM 解决方案引入英特尔 EMIB 等先进封装技术,计划最终迈入 3D 封装时代。在 2026 年 Hot Chips 大会上,其封装工程副总裁阐述了利用先进封装技术加速 HBM 产品路线图的规划,目前正探索混合键合等方法突破 16 层堆叠限制,未来还将通过增加 TSV 数量、提高 IO 速度、优化电源分配网络解决功耗挑战。
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SK 海力士正为下一代 HBM 解决方案引入英特尔 EMIB 等先进封装技术,计划最终迈入 3D 封装时代。在 2026 年 Hot Chips 大会上,其封装工程副总裁阐述了利用先进封装技术加速 HBM 产品路线图的规划,目前正探索混合键合等方法突破 16 层堆叠限制,未来还将通过增加 TSV 数量、提高 IO 速度、优化电源分配网络解决功耗挑战。