SK 海力士 HBM4 部分后道设备订单推迟至明年，扩产节奏存不确定性

SK 海力士第六代高带宽内存 HBM4 产能扩张步伐放缓，部分后道工序设备订单被推迟至明年，后续发单计划尚不明确，已交付设备的满负荷运转情况暂无佐证，明年投资计划也未向部分供应商正式传达，市场对其量产进程预期出现分歧。相关分析认为，HBM4 后道工序出现的部分问题属于可解决范畴，不存在质量层面的严重风险，SK 海力士已向主要客户提供 HBM4 16 层堆叠样品，高堆叠封装技术仍处于领先地位。同时受通用内存价格回暖影响，SK 海力士投资重心出现结构性微调，将部分投资转向通用 DRAM 领域，龙仁半导体集群新增产能预计也将优先分配给通用 DRAM。业内提示不宜仅凭设备订单延期、投资计划未明确就断言 HBM4 量产出现实质性问题，对其量产进程的判断仍需保持审慎。