三星晶圆代工计划在 1nm 级节点实现 High NA EUV 商用

三星电子半导体研究院晶圆代工工艺开发团队的 Park Chang Min 于 8 月 11 日表示，三星晶圆代工计划在 1nm 级工艺制程节点实现目前仍处早期导入阶段、被视为 2nm 以下制程及先进制程微缩关键的 High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）设备的商业化应用。