三星电子正重新加速 1.4nm(SF1.4)工艺节点研发,其量产时间从原计划的 2027 年推迟至 2029 年。三星近期向应用材料、泛林研究等主要半导体设备企业分享 SF1.4 工艺方案,以协力打造适合该节点的设备组合,包括标准设备的定制化版本。三星已从 ASML 引进 High NA EUV 光刻图案化设备并部署在 NRD-K 半导体研发综合体中,该设备预计最早在 SF1.4 节点用于生产。此外,三星也已针对第 12 代 V-NAND 订购设备,该工艺预计 2030 年前后量产,采用晶圆堆叠结构。