三星正采用 2nm 制程工艺设计 HBM 逻辑芯片
1 月 21 日
三星正在采用 2nm 制程工艺设计用于定制化 HBM 的逻辑芯片,此前已将 4nm 制程应用于 HBM4 的逻辑芯片,该产品预计今年投入商业化生产。
三星正采用 2nm 制程工艺设计 HBM 逻辑芯片
36Kr/财联社/格隆汇
2026-09-29
三星电子高管:明年 HBM 将占 DRAM 芯片制造商总晶圆产能的近 30%2026-09-28
高通正评估三星 2nm 工艺,考虑用于下一代移动芯片2026-09-22
消息称三星 HBM4 产能明年或翻倍2026-09-18
消息称特斯拉 AI5 芯片已在三星得州工厂试产,采用 2nm 工艺2026-09-15
三星电子或推行「双轨制程」HBM 生产战略2026-09-08
三星电子美国工厂月底试产 2 纳米订单已接满 有望挑战台积电2026-09-08
消息称三星将超半数 4 纳米产能投入 HBM4 基础裸片生产2026-09-04
三星联合 Arm 研发下一代端侧 AI 芯片 OpenAI 成潜在客户2026-08-31
三星正为英伟达开发 8 层 HBM4E2026-08-19
三星因 AI 芯片需求激增上调代工价格 部分先进制程涨幅最高达 15%查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。