三星正采用 2nm 制程工艺设计 HBM 逻辑芯片
1 月 21 日
三星正在采用 2nm 制程工艺设计用于定制化 HBM 的逻辑芯片,此前已将 4nm 制程应用于 HBM4 的逻辑芯片,该产品预计今年投入商业化生产。
三星正采用 2nm 制程工艺设计 HBM 逻辑芯片
36Kr/财联社/格隆汇
2026-07-01
三星 HBM4E 良率突破 70% 第七代 AI 内存开发进入稳定阶段2026-06-23
三星电子 HBM4 芯片推出四个月销售额突破 10 亿美元2026-05-15
三星电子开发下一代 HBM 封装技术 或用于智能手机等移动设备2026-04-30
三星电子:预计 HBM4 芯片销售额三季度起占比过半2026-04-18
三星 HBM 开发周期砍半缩至 1 年2026-04-17
三星电子加速研发下一代高带宽内存 首批 HBM4E 将于 5 月生产2026-03-24
消息称三星 2nm 工艺良率已突破 60%,与台积电基本持平2026-03-17
三星揭晓 HBM4E,展示全方位 AI 解决方案、英伟达合作伙伴关系及愿景2026-02-12
三星电子:已开始大规模生产 HBM4 并向客户进行商业发货2026-02-11
三星称凭 HBM4 重回内存行业巅峰 计划本月量产查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。