消息称三星电子 1d DRAM 有望明年年底初步量产

三星电子正携手合作伙伴加紧研发用于量产第七代 10 纳米级（1d）DRAM 的设备，量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入，预计最早明年年底开始初步量产。1d DRAM 电路线宽为 10 至 11 纳米，窄于目前商用的第六代 1c DRAM（11 至 12 纳米），性能和能效更好，预计将用于 2029 年商业化的第九代高带宽内存（HBM5E）核心芯片。