三星电子 1c DRAM 芯片良率突破 80% 进入稳定生产阶段

三星电子在 10 纳米级第 6 代 DRAM「1c」生产上取得重要进展，良率已突破 80%，进入稳定生产阶段。此前去年第四季度良率在 60-70%，预计 5 月左右将达 90%，高良率有望大幅提升半导体收益。近期 DRAM 价格上涨、营业利润增加，三星凭借稳定良率有望提升利润率。此外，以 1c DRAM 为基础的 HBM4 良率也从去年第四季度的 50% 提升至接近 60%。1c DRAM 是三星战略产品，DS 部门副会长曾指挥设计改进，以确保核心竞争力和提升 HBM 能力。