三星电子拟增大 DRAM 尺寸以提升 HBM4 性能

三星电子正集中精力提高 1c DRAM 良率、抢占 HBM4 市场份额，决定增大第六代 10nm 级 DRAM 芯片尺寸以提升 DRAM 和 HBM4 稳定性。