三星据悉将扩大用于 HBM4 的 DRAM 产能

三星电子计划今年将基于 10 纳米工艺的第六代（1c）DRAM（用于 HBM4）产量提升约 170%，还制定战略在韩国京畿道平泽第四工厂安装设备，计划明年一季度月产 10 万至 12 万片 DRAM 晶圆，该生产线将全面配备制造 HBM4 用 1c DRAM 的设备，其当前 1c DRAM 月产能为 7 万片晶圆。