三星计划到 2026 年底将其 10 纳米第六代 DRAM 月产能扩至 20 万片晶圆
2025 年 11 月 19 日
为重夺 DRAM 市场领导地位,三星计划到 2026 年底将 10 纳米第六代 DRAM(1c DRAM)月产能扩至 20 万片晶圆。
2026-07-15
三星拟于韩国器兴新建 DRAM 工厂2026-06-24
冲击 1000 层:三星披露 NAND 规划,SSD 容量目标 4 倍提升2026-06-17
消息称三星电子 1d DRAM 有望明年年底初步量产2026-05-11
三星电子重启半导体新业务 未来投资计划重新推进2026-04-24
三星电子突破 DRAM 技术壁垒 成功产出 10 纳米以下工作晶圆2026-03-19
三星电子计划 2026 年资本支出及研发投入超 110 万亿韩元2026-03-03
三星美国泰勒厂量产推迟至 2027 年2026-02-24
三星电子 1c DRAM 芯片良率突破 80% 进入稳定生产阶段2026-02-06
三星据悉将扩大用于 HBM4 的 DRAM 产能查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。