三星正为英伟达开发 8 层 HBM4E

三星电子正配合英伟达开发 8 层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的 12 层、16 层方案堆叠高度显著降低，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，较三星初期 14.4Gbps 的样品速度高出约 20%，该产品将用于 NVHBM。