英特尔盘前涨 3.5% EMIB-T 封装良率逼近 90%

英特尔盘前涨 3.5% 报 94.19 美元，正全力推进俄亥俄州千英亩大型晶圆厂园区建设，目标 2031 年全面运营并实现 14A 工艺大规模量产，为加速建设向员工提供高额加班奖金。其 EMIB-T 先进封装技术成本较台积电 CoWoS 方案低约 50%，预计 2027 年大规模提供服务，目前封装良率近 90%，但基板良率约 50% 成产能扩展主要障碍，相关供应商正提升对应产能与良率。