三星研发新型 NAND 闪存技术，功耗暴降 96%

三星研究团队在存储技术领域取得重大突破，成功开发出可将功耗降低逾 90% 的新型 NAND 闪存结构。该技术由三星先进技术研究院主导，创新性融合铁电材料与氧化物半导体，相关成果发表于《自然》。NAND 闪存堆叠存储层提升密度时能耗大增，三星团队将氧化物半导体与铁电结构协同设计，新架构功耗降幅达 96%，且完全自主研发。研究人员称已验证超低功耗 NAND 闪存可行性，未来将推进商业化。此外，三星正着力提升存储业务盈利能力，优化高附加值产品供应策略。