SK 海力士正研发高带宽存储 (HBS)

业内人士透露，SK 海力士正在研发高带宽存储（HBS）技术，该技术最多可堆叠 16 个 DRAM 和 NAND 闪存模块，通过垂直导线扇出（VFO）连接提高数据处理速度，有望让未来智能手机和平板电脑具备更强大 AI 算力。