三星、SK 海力士升级中国工厂 应对长江存储竞争及 AI 需求

三星电子与 SK 海力士正升级各自位于中国的西安、大连工厂，计划生产更高层数的 NAND 闪存芯片，以应对长江存储的快速发展，同时满足人工智能领域增长的存储需求，两家公司称相关工作与美国方面保持密切沟通，未披露具体生产计划。三星西安工厂当前生产约 200 层芯片，占其全球 NAND 产量约 40%，此次升级后将生产 286 层 V9 NAND 闪存芯片，内部称该项目为「Monami」，目标 2026 年 12 月实现月产 5000 片晶圆，2027 年 12 月提升至月产 4 万片，三星表示此次升级不涉及扩大产能或新建制造设施，旨在满足全球客户需求。SK 海力士大连工厂当前生产约 192 层产品，计划升级后生产 240 层及以上 NAND 产品，目前已获准在大连生产最高 240 层的芯片，后续可能向美国政府申请在当地开展 300 层以上芯片的研发，为未来赴美生产相关产品打基础，同时该公司正与特朗普政府讨论在美国新建 NAND 工厂的计划。受 2022 年起美国实施的相关芯片制造设备出口管制政策影响，两家企业在中国工厂安装美国制造设备需每年申请许可证，美国商务部此前称计划允许两家公司继续运营现有中国工厂，但不打算批准扩产或技术升级申请，此次升级所需设备出口许可的获批程度暂未得到确认。当前长江存储在中国 NAND 市场份额持续攀升，2026 年第二季度占比达 38.5%，已超过三星，其目前主要生产 160 层和 232 层产品，少量生产 294 层芯片，还计划推出 300 层以上产品，三星、SK 海力士在中国以外市场已分别推出最高 286 层、321 层的 NAND 芯片。