韩国媒体 ETNews 报道，SK 海力士第六代 12 层堆叠高带宽内存 HBM4 测试良率达到 70%，即将量产。这一进展得益于其第五代 10nm 级 DRAM 技术的成功应用，该技术已在 HBM3e 产品中实现 80% 良率。SK 海力士正准备向客户提供 HBM4 样品进行测试，量产工作有望迅速启动。HBM4 产品有望被用于英伟达下一代 AI 加速器 「Grace Hopper」 系列，推动 SK 海力士在高性能内存市场的地位进一步巩固。