SK 海力士：全球首次成功研发 128 层 4D Nand 闪存

SK 海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出 128 层 4D Nand 闪存芯片，将从今年下半年 (7 月～12 月) 开始投入量产 … 6 月 26 日，SK 海力士宣布成功开发出 128 层 1Tb 的 TLC（Triple Level Cell）4D Nand 闪存，即将投入量产 … 最近 DRAM 和 Nand 闪存等存储芯片的价格不断下降，SK 海力士今年第一季度已经出现亏损，现在似乎打算在 Nand 闪存领域寻找新的突破口。