长鑫科技：拟 241 亿元、108 亿元分别投建技术研发项目、存储器晶圆后道测试基地二期项目

长鑫科技公告，拟分别投建总投资额 241 亿元的技术研发项目、108 亿元的存储器晶圆后道测试基地二期项目。其中拟使用超募资金 130 亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金 50 亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目，计划建设一座为 DRAM 存储芯片提供测试以及模组组装的测试工厂。