长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证

国产存储芯片龙头长鑫科技在第三季度业绩交流会上透露，其基于 4F² 垂直沟道 DRAM 架构的第六代工艺技术平台已完成工程样片验证，这是公司首次官宣该代平台采用 4F² 架构。目前长鑫在 4F² 工程化推进上处于全球前列，若后续进展顺利有望成为全球首个落地 4F² 的企业。4F² 是破解 DRAM 单元微缩瓶颈、迈向 3D DRAM 的关键路径，长鑫该架构核心为自研垂直包围栅晶体管，可缓解短沟道效应与漏电，还能将 DRAM 与 CMOS 制造工艺解耦，通过晶圆级混合键合实现高速互联。长鑫预计今年年底将推出融合该技术的首代 DDR5 RDIMM 产品送样，优先落地服务器等高附加值领域，后续逐步向其他品类延伸，规模量产将结合客户验证进度与市场需求稳步推进。长鑫长期高强度投入研发，在 4F² 相关领域已布局超 300 件公开专利族，混合键合专利数量位居全球前十，2026 年前三季度研发投入同比增长约 73.03%。当前公司已与多家头部客户协商长期供货协议，预计第四季度毛利率保持稳定，受 AI 带动服务器需求强劲，DRAM 供不应求态势预计持续，营收将继续增长。2026 年前三季度长鑫科技营收、净利润大幅增长，实现扭亏为盈。