三星电子：正按计划推进 eMRAM 内存制程升级 8nm 版本基本完成开发

三星电子正在按计划推进 eMRAM 内存的制程升级，8nm 版本的开发已基本完成。eMRAM 是一种新型内存，基于磁性原理，具有非易失性和高效节能的特点，同时写入速度是 NAND 的 1000 倍，适用于对写入速率要求较高的应用。