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三星与应用材料合作,减少 4nm 工艺中 EUV 光刻使用
3 月 8 日

三星电子正与应用材料合作,评估其 Centura Sculpta 系统,以降低 4nm 工艺中 EUV 光刻的用量和成本。该系统通过图案塑形功能,精确定向修改晶圆特征图形的尺寸,增强 EUV 图案化性能,减少最关键图层的图案化次数,实现芯片性能和成本的优化。应用材料宣称,Centura Sculpta 系统可在每片晶圆上节约 50 美元的制造成本,并减少能源和水资源的消耗以及二氧化碳的排放。

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