据国外媒体报道称，三星电子今天宣布，其 5 纳米 FinFET 工艺技术已经完成开发，现已准备好向客户提供样品 … 与 7 纳米工艺相比，三星的 5 纳米 FinFET 工艺技术提高了 25% 的逻辑面积效率，其功耗降低了 20%、性能提高了 10%，从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构 … 从 7 纳米到跨越到 5 纳米工艺，除了在功率性能区域（PPA）的数据提高之外，客户还可以充分利用三星高度复杂的 EUV 技术，有助于产品接近性能极限。