Readhub
三星电子计划投资 1.1 万亿韩元引进最新的 High-NA EUV 光刻机
2025 年 10 月 16 日
三星电子计划投入约 1.1 万亿韩元引进两台最新的 High-NA 双级极紫外（EUV）光刻机，此前仅在京畿道园区引进过一台用于研发的该设备，此次引进的将用于「产品量产」，计划年内引进一台，明年上半年再引进一台。
三星电子计划投资 1.1 万亿韩元引进最新的 High-NA EUV 光刻机
财联社/钛媒体/格隆汇/36Kr
话题追踪2026-07-15
三星拟于韩国器兴新建 DRAM 工厂2026-06-26
三星将在 10 年内投资 1000 万亿韩元2026-06-24
三星电子或宣布 90 万亿韩元的回购计划 用于发放员工奖金2026-05-11
三星电子重启半导体新业务 未来投资计划重新推进2026-04-07
消息称三星电子泰勒逻辑厂启动光刻机调试，平泽 DRAM 厂下达设备订单2026-03-19
三星电子计划 2026 年资本支出及研发投入超 110 万亿韩元2025-12-30
三星放弃 4nm 工艺：全力推进 2nm 制程2025-10-16
三星电子计划投资 1.1 万亿韩元引进最新的 High-NA EUV 光刻机2025-07-30
三星计划豪掷 70 亿美元在美建芯片封装厂2025-07-02
三星韩国投资态度逐渐坚定，考虑恢复平泽 P5 半导体工厂的建设查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。