长鑫 G5 量产 通用 DRAM 工艺逼近国际一线

9 月 20 日，长鑫科技宣布第五代 DRAM 工艺平台 G5 进入量产阶段，标志着国产通用 DRAM 在理论工艺密度上追平国际一线水平，显著增强其在主流市场的成本竞争力与定价话语权。G5 平台通过四重曝光技术在 DUV 体系下实现极限挖潜，存储位密度较上一代提升 50%，每片晶圆裸片产出大幅增加，为其导入国产旗舰手机供应链提供底气，在 DDR5、LPDDR5X 等通用领域已具备参与全球成本竞争的实力。此外，随着 G5 平台扩产推进，国产半导体设备占比有望超 40%，将拉动刻蚀、薄膜沉积等环节设备采购需求，为上游核心供应商带来确定业绩增量。