长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产
9 月 20 日
2026 世界制造业大会上,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产,该平台将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米,存储器电容深宽比 45:1,核心动能区高度降至 6762 纳米,存储密度大幅提升,同等条件下每张晶圆产出较上一代提升 50% 以上,基于该平台的 24GB LPDDR5X 产品已量产并全面进入国产主流旗舰手机。
长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产
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长鑫科技:第五代工艺技术平台实现量产
华尔街见闻/财联社/格隆汇
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