长鑫存储开始试产 HBM3E 内存 有望数周内大规模量产

长鑫存储已正式启动 HBM3E 内存风险试产，目前该技术尚处早期阶段，生产规模有限，但市场普遍预期其有望数周内进入大规模量产阶段。同时，长鑫存储正积极扩产，预计今年年底 DRAM 月产能达 35 万片晶圆，未来几年持续爬坡以应对 AI 与高性能计算需求。此外，长鑫存储在晶圆厂洁净室建设上效率突出，12 个月即可建成一座，为产能扩张与良率爬坡提供保障。HBM3E 按 JEDEC 规范，位宽 1024-bit，单引脚速率 9.2Gbps 至 12.4Gbps，典型配置下总带宽达 1.2TB / s，8 层堆叠单堆栈容量 24GB，12 层可达 36GB，可为 AI 加速器与数据中心提供支撑。