英特尔 18A-P 工艺突破：低电压下性能飙升，多技术融合引领芯片革新

英特尔在全球计算架构与芯片设计顶级盛会上公布最新制程技术 Intel 18A-P 的详细信息。该技术通过 RibbonFET 全环绕栅极晶体管、背面供电等创新，针对不同电压区间系统性优化，在性能与能效上实现显著突破，低电压下能效提升明显，高电压下减少供电损耗、释放频率潜力，还开发 W1、W1.5、W3P 三种器件选项适配不同场景。同时升级散热解决方案，新增粗金属层优化互连，研发钌互连、三维逻辑堆叠技术。该制程率先应用于 2027 年推出的 Diamond Rapids 至强处理器（最多 256 核心，优化内存访问）和 Nova Lake 酷睿处理器，且 GAA 晶体管与背面供电技术将成为未来多代产品基础架构。