报道:三星电子 12 层堆叠 HBM3E 芯片产品通过英伟达测试
2025 年 9 月 19 日
2026-03-10
消息称特斯拉延迟 AI6 芯片在三星电子 2nm 节点的多项目晶圆测试2026-03-05
英伟达已将 H200 芯片产能重新分配,转向 Vera Rubin 硬件2026-02-24
三星电子 1c DRAM 芯片良率突破 80% 进入稳定生产阶段2026-01-26
三星电子将于 2 月向英伟达供应 HBM4 芯片2026-01-21
三星正采用 2nm 制程工艺设计 HBM 逻辑芯片2025-12-04
消息称三星据悉拿下 2026 年英伟达 SOCAMM 2 芯片半数订单2025-12-02
三星完成第六代 HBM4 芯片开发 向英伟达送样待量产批示2025-11-19
三星公布首批 2 纳米芯片性能数据,加速追赶台积电2025-09-19
报道:三星电子 12 层堆叠 HBM3E 芯片产品通过英伟达测试查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。