三星 DRAM 制程升级，多款 1y nm DDR4 内存条将告别市场

三星电子正加速 DRAM 内存制程工艺升级，逐步停产基于旧版 1y nm 工艺的 DDR4 内存模组，包括 8GB 及 16GB 容量的 SODIMM/UDIMM 产品，最后订购和交付时间分别截至今年 6 月上旬和 2025 年 12 月 10 日。同时，三星已停止生产 DDR3 内存，并计划将生产线转向 DDR5 和 HBM 等更先进产品，1y nm DDR4 产能占比将从今年年中起降至不足一成，而 1z nm DDR4 预计于 2027 年停产。