三星、台积电、IBM 将于 12 月在 IEDM 国际会议上展示 CFET 技术成果

2024 年 12 月，第 70 届 IEEE 国际电子设备年会（IEDM）将在旧金山举行，届时将有台积电、IMEC、IBM 和三星等半导体公司研究人员出席，并分享关于垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新成果。CFET 技术被视为下一代半导体技术的重要发展方向，有望实现工艺尺寸的进一步微缩。各大公司均有所进展，如台积电将在会议上介绍 48nm 栅距的 CFET 逆变器性能，IBM 和三星将展示单片堆叠 FET，IMEC 则专注于双排 CFET 的研究。IMEC 预计 CFET 技术将在 2032 年的 A5 工艺节点广泛量产。