三星电子宣布开始量产首款 1 太比特四层单元（QLC）第九代 V-NAND，以及 1Tb TLC 产品。第九代 V-NAND 实现技术突破，包括通道孔蚀刻技术、预设模具技术、预测程序技术和低功耗设计技术。这些技术改进提高了存储密度、数据保存性能、写入性能和降低功耗。三星计划扩大第九代 V-NAND 的应用范围，服务于品牌消费类产品、移动通用闪存、个人电脑和服务器 SSD 市场。