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SK 海力士计划开发 4F2 结构 DRAM 以缩减成本
2024 年 8 月 14 日
SK 海力士宣布计划开发 4F2 结构（垂直栅）的 DRAM，以降低成本。其研究员表示，随着极紫外 (EUV) 工艺成本的快速上升，使用 EUV 制造 DRAM 的盈利性正受到质疑。
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