三星电子和 SK 海力士正在推进移动 DRAM 堆叠封装技术，以满足端侧 AI 对高性能移动 DRAM 的需求。两家公司采用了垂直布线扇出技术 VFO，以实现更多的 IO 数据引脚，并提高能效。SK 海力士的 VFO 技术验证样品在导线长度上仅为传统布线产品的不到 1/4，能效提升了 4.9%，封装厚度减少了 27%。而三星的 LLW DRAM 可实现低延迟和高带宽性能，同时能耗仅有 1.2pJ/b。三星计划于明年下半年实现 LLW DRAM 的量产，SK 海力士的相关产品目前已处于量产准备阶段。