意法半导体与三星联合推出了 18nm FD-SOI 工艺，支持嵌入式相变存储器 ePCM。相较于现有的 40nm eNVM 技术，新工艺在性能、能效、数字密度等方面有显著提升，并能在 3V 电压下提供多种模拟功能。此外，该工艺还具有出色的抗高温、抗辐射性能，适用于苛刻的工业应用。意法半导体计划于 2025 年下半年开始量产基于该制程的 STM32 MCU。