韩国芯片巨头 SK 海力士计划升级在华工厂
2024 年 1 月 15 日
韩国芯片制造商 SK 海力士计划突破美国对华的极紫外(EUV)光刻机出口限制,对中国半导体工厂进行技术升级改造,以提高制造工艺水平。这一举措旨在应对半导体市场复苏和中国高性能半导体制造能力提升的挑战。
SK 海力士将升级中国半导体工厂 采用第四代 10 纳米工艺
搜狐科技 / 手机中国
韩媒:韩国芯片巨头 SK 海力士计划升级在华工厂
网易科技 / 凤凰科技
韩国芯片巨头 SK 海力士计划升级在华工厂
财联社 / 36Kr / 界面
2026-04-23
SK 海力士:计划下半年向客户提供 HBM4E 样品,2027 年实现量产2026-04-22
SK 海力士据悉将投资 19 万亿韩元建设新的芯片工厂2026-04-09
SK 海力士猛攻 1c DRAM:良率已升至 80% 超半数产能年内转换2026-03-24
SK 海力士计划通过赴美上市筹资约 100 亿美元2026-03-24
SK 海力士拟从 ASML 韩国公司购买极紫外光刻机2026-01-15
SK 海力士在韩国龙仁的新芯片工厂将提前投产2026-01-14
消息称 SK 海力士停产消费级存储器,资源转向 B2B 与 AI 服务器市场2026-01-04
SK 海力士 DRAM 集群洁净室启用时间提前至 2027 年 3 月2025-09-06
SK 海力士完成对 Intel 大连闪存工厂收购,美国取消政策致技术升级受限查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。